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NHUMD9F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN and PNP Complement, 80 V, 80 V, 100 mA, 10 kohm
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호NHUMD9F
주문 코드3526231RL
Product RangeNHUMD9 Series
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN and PNP Complement
Digital Transistor PolarityNPN and PNP Complement
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Collector Emitter Voltage Max NPN80V
Collector Emitter Voltage Max PNP80V
Continuous Collector Current Ic100mA
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R110kohm
Base Emitter Resistor R247kohm
Resistor Ratio, R1 / R20.21(Ratio)
Transistor Case StyleSC-88
RF Transistor CaseSC-88
No. of Pins6 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation350mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min100hFE
Product RangeNHUMD9 Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN and PNP Complement
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Collector Emitter Voltage Max PNP
80V
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
47kohm
Transistor Case Style
SC-88
No. of Pins
6 Pin
Power Dissipation
350mW
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Digital Transistor Polarity
NPN and PNP Complement
Collector Emitter Voltage Max NPN
80V
Continuous Collector Current Ic
100mA
Base Input Resistor R1
10kohm
Resistor Ratio, R1 / R2
0.21(Ratio)
RF Transistor Case
SC-88
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
NHUMD9 Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000024