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PBLS2002D,115
Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 20 V, 20 V, 1 A, 1 A, 250 mW
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PBLS2002D,115
주문 코드3439893RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN20V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo20V
DC Collector Current1A
Collector Emitter Voltage Max PNP20V
Continuous Collector Current NPN1A
Power Dissipation Pd250mW
Continuous Collector Current PNP1A
DC Current Gain hFE60hFE
Power Dissipation NPN250mW
Power Dissipation PNP250mW
DC Current Gain hFE Min NPN60hFE
DC Current Gain hFE Min PNP60hFE
Transistor Case StyleSC-74
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP185MHz
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
20V
Collector Emitter Voltage Max PNP
20V
Power Dissipation Pd
250mW
DC Current Gain hFE
60hFE
Power Dissipation PNP
250mW
DC Current Gain hFE Min PNP
60hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
185MHz
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max NPN
20V
DC Collector Current
1A
Continuous Collector Current NPN
1A
Continuous Collector Current PNP
1A
Power Dissipation NPN
250mW
DC Current Gain hFE Min NPN
60hFE
Transistor Case Style
SC-74
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001