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PBRP113ET,215
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single PNP, 40 V, 800 mA, 1 kohm, 1 kohm
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PBRP113ET,215
주문 코드1829335
Product RangePBRP113E Series
기술 데이터 시트
Digital Transistor PolaritySingle PNP
Transistor PolaritySingle PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo-40V
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Continuous Collector Current Ic-800mA
Collector Emitter Voltage Max PNP40V
Continuous Collector Current800mA
Base Input Resistor R11kohm
Base Emitter Resistor R21kohm
Resistor Ratio, R1 / R2-
Transistor Case StyleSOT-23
RF Transistor CaseSOT-23
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation570mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min140hFE
Product RangePBRP113E Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Digital Transistor Polarity
Single PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
-40V
Continuous Collector Current Ic
-800mA
Continuous Collector Current
800mA
Base Emitter Resistor R2
1kohm
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3 Pin
Power Dissipation
570mW
DC Current Gain hFE Min
140hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
Single PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
Collector Emitter Voltage Max PNP
40V
Base Input Resistor R1
1kohm
Resistor Ratio, R1 / R2
-
RF Transistor Case
SOT-23
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
PBRP113E Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000008