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PBSS4032NZ,115
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 4.9 A, 700 mW, SOT-223, Surface Mount
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PBSS4032NZ,115
주문 코드1829351RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max30V
Continuous Collector Current4.9A
Power Dissipation700mW
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins4Pins
Transition Frequency145MHz
DC Current Gain hFE Min500hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The PBSS4032NZ is a 4.9A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a medium power surface-mount plastic package with increased heat-sink.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- Optimized switching time
- High collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- High energy efficiency due to less heat generation
- Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
- AEC-Q101 qualified
- PNP complement is PBSS4032PZ
- PB4032NZ Marking code
애플리케이션
Industrial, Power Management, Consumer Electronics, Signal Processing, Automotive
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
4.9A
Transistor Case Style
SOT-223
No. of Pins
4Pins
DC Current Gain hFE Min
500hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
30V
Power Dissipation
700mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
145MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000124