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PBSS4130PANP,115
Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 1 A, 1 A, 510 W
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PBSS4130PANP,115
주문 코드3439910RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN, PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Collector Emitter Voltage Max NPN30V
DC Collector Current1A
Collector Emitter Voltage Max PNP30V
Power Dissipation Pd510W
Continuous Collector Current NPN1A
DC Current Gain hFE180hFE
Continuous Collector Current PNP1A
Power Dissipation NPN510W
Power Dissipation PNP510W
DC Current Gain hFE Min NPN180hFE
DC Current Gain hFE Min PNP180hFE
Transistor Case StyleDFN2020
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN165MHz
Transition Frequency PNP125MHz
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN
30V
Collector Emitter Voltage Max PNP
30V
Continuous Collector Current NPN
1A
Continuous Collector Current PNP
1A
Power Dissipation PNP
510W
DC Current Gain hFE Min PNP
180hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
125MHz
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
DC Collector Current
1A
Power Dissipation Pd
510W
DC Current Gain hFE
180hFE
Power Dissipation NPN
510W
DC Current Gain hFE Min NPN
180hFE
Transistor Case Style
DFN2020
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
165MHz
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001