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PBSS4140DPNF
Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 1 A, 1 A, 600 mW
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PBSS4140DPNF
주문 코드3439912RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN, PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo40V
Collector Emitter Voltage Max NPN40V
DC Collector Current1A
Collector Emitter Voltage Max PNP40V
Continuous Collector Current NPN1A
Power Dissipation Pd600mW
Continuous Collector Current PNP1A
DC Current Gain hFE300hFE
Power Dissipation NPN600mW
Power Dissipation PNP600mW
DC Current Gain hFE Min NPN300hFE
DC Current Gain hFE Min PNP300hFE
Transistor Case StyleSC-74
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN150MHz
Transition Frequency PNP150MHz
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN
40V
Collector Emitter Voltage Max PNP
40V
Power Dissipation Pd
600mW
DC Current Gain hFE
300hFE
Power Dissipation PNP
600mW
DC Current Gain hFE Min PNP
300hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
150MHz
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
40V
DC Collector Current
1A
Continuous Collector Current NPN
1A
Continuous Collector Current PNP
1A
Power Dissipation NPN
600mW
DC Current Gain hFE Min NPN
300hFE
Transistor Case Style
SC-74
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
150MHz
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001