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PBSS8110T,215
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PBSS8110T,215
주문 코드8736650
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation300mW
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min150hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The PBSS8110T is a 1A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor housed in a surface-mount plastic package.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- Higher efficiency leading to less heat generation
- Reduced printed-circuit board requirements
- PNP complement is PBSS9110T
- U8 Marking code
애플리케이션
Industrial, Automotive, Communications & Networking, Power Management, Consumer Electronics, Lighting, Motor Drive & Control
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
1A
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
150hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation
300mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000008