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PDTC123EMB,315
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
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| 100+ | ₩233 |
| 500+ | ₩142 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PDTC123EMB,315
주문 코드2191794
Product RangePDTC123E Series
기술 데이터 시트
Digital Transistor PolaritySingle NPN
Transistor PolaritySingle NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo50V
Collector Emitter Voltage Max NPN50V
Continuous Collector Current Ic100mA
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current100mA
Base Input Resistor R12.2kohm
Base Emitter Resistor R22.2kohm
Resistor Ratio, R1 / R2-
RF Transistor CaseSOT-883B
Transistor Case StyleSOT-883B
No. of Pins3 Pin
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation250mW
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min30hFE
Product RangePDTC123E Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
기술 사양
Digital Transistor Polarity
Single NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50V
Continuous Collector Current Ic
100mA
Continuous Collector Current
100mA
Base Emitter Resistor R2
2.2kohm
RF Transistor Case
SOT-883B
No. of Pins
3 Pin
Power Dissipation
250mW
DC Current Gain hFE Min
30hFE
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
Single NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN
50V
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Base Input Resistor R1
2.2kohm
Resistor Ratio, R1 / R2
-
Transistor Case Style
SOT-883B
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
PDTC123E Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00082