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PHB21N06LT,118
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 19 A, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PHB21N06LT,118
주문 코드3440004
Product RangeTrenchMOS
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id19A
Drain Source On State Resistance0.055ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation56W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchMOS
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
19A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
56W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchMOS
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.00001