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PHB33NQ20T,118
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 32.7 A, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PHB33NQ20T,118
주문 코드3440006RL
Product RangeTrenchMOS
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id32.7A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation230W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchMOS
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
32.7A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
230W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchMOS
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.002074