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PIMT1,115
Bipolar Transistor Array, Dual PNP, 40 V, 100 mA
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PIMT1,115
주문 코드3440013RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityDual PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo40V
DC Collector Current100mA
Collector Emitter Voltage Max PNP40V
Continuous Collector Current NPN-
Power Dissipation Pd300mW
Continuous Collector Current PNP100mA
DC Current Gain hFE120hFE
Power Dissipation NPN-
Power Dissipation PNP300mW
DC Current Gain hFE Min NPN-
DC Current Gain hFE Min PNP120hFE
Transistor Case StyleSC-74
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP100MHz
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
Dual PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
40V
Collector Emitter Voltage Max PNP
40V
Power Dissipation Pd
300mW
DC Current Gain hFE
120hFE
Power Dissipation PNP
300mW
DC Current Gain hFE Min PNP
120hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
100MHz
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max NPN
-
DC Collector Current
100mA
Continuous Collector Current NPN
-
Continuous Collector Current PNP
100mA
Power Dissipation NPN
-
DC Current Gain hFE Min NPN
-
Transistor Case Style
SC-74
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001