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PMDXB1200UPEZ
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PMDXB1200UPEZ
주문 코드2498566RL
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id410mA
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
On Resistance Rds(on)1.2ohm
Continuous Drain Current Id N Channel410mA
Continuous Drain Current Id P Channel410mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel1.2ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel1.2ohm
Transistor Case StyleDFN1010B
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd285mW
Power Dissipation N Channel285mW
Power Dissipation P Channel285mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
기술 사양
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
410mA
On Resistance Rds(on)
1.2ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
410mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.2ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
1.2ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
Power Dissipation Pd
285mW
Power Dissipation P Channel
285mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
410mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
DFN1010B
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
285mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00007