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PMN30XPX
Power MOSFET, Trench, P Channel, 20 V, 5.2 A, 0.03 ohm, SOT-457, Surface Mount
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제조업체 표준 리드 타임: 54주
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,694 | ₩8,470 |
| 총계 가격 | ₩8,470 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,694 |
| 50+ | ₩1,165 |
| 100+ | ₩738 |
| 500+ | ₩457 |
| 1500+ | ₩349 |
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PMN30XPX복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드
리릴링2545273RL
컷 테이프2545273
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleSOT-457
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max680mV
Power Dissipation550mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Trench MOSFET technology
- Low threshold voltage
- Enhanced power dissipation capability of 1400 mW
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
Transistor Case Style
SOT-457
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
550mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
680mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000038