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PMN30XPX
Power MOSFET, Trench, P Channel, 20 V, 5.2 A, 0.03 ohm, SOT-457, Surface Mount
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PMN30XPX
주문 코드2545273
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleSOT-457
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max680mV
Power Dissipation550mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Trench MOSFET technology
- Low threshold voltage
- Enhanced power dissipation capability of 1400 mW
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
Transistor Case Style
SOT-457
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
550mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
680mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
관련 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000038