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PMV100EPAR
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 2.2 A, 0.13 ohm, SOT-23, Surface Mount
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포장 옵션
| 포장 유형 | 수량 | 단가: | 총계 |
|---|---|---|---|
| 컷 테이프 | 5 | ₩1,659 | ₩8,295 |
| 총계 가격 | ₩8,295 | ||
컷 테이프 & 리릴링
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 5+ | ₩1,659 |
| 50+ | ₩1,148 |
| 100+ | ₩727 |
| 500+ | ₩449 |
| 1500+ | ₩333 |
풀릴
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 3000+ | ₩295 |
| 9000+ | ₩290 |
라인 메모 추가
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PMV100EPAR복사
제조업체 표준 리드 타임54주
주문 코드
풀릴4319513
리릴링3438542RL
컷 테이프3438542
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance0.13ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation710mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
제품 개요
The PMV100EPAR from NEXPERIA is a P Channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) surface mounted device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Suitable application: relay driver, high speed line driver, high side load switch and switching circuits
- Logic-level compatible
- Trench MOSFET technology
- Very fast switching
- AEC-Q101 qualified
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
710mW
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.13ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
PMV100EPAR의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000038