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PMV55ENEAR
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 3.1 A, 0.06 ohm, TO-236AB, Surface Mount
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PMV55ENEAR
주문 코드2628094
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id3.1A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation478mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
제품 개요
PMV55ENEAR is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits.
- Logic level compatible, very fast switching
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2kV HBM
- AEC-Q101 qualified
- Drain-source voltage is 60V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 20V maximum
- Drain current is 3.1A maximum at VGS = 10V; Tamb = 25°C
- Peak drain current is 12.6A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Total power dissipation is 478mW max at Tamb = 25°C
- Source current is 1.3A max at Tamb = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.1A
Transistor Case Style
TO-236AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
478mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000009