페이지 인쇄
PMV65XP,215
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.3 A, 0.058 ohm, TO-236AB, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PMV65XP,215
주문 코드1758119
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.3A
Drain Source On State Resistance0.058ohm
Transistor Case StyleTO-236AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max750mV
Power Dissipation833mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The PMV65XP,215 is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a Surface Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Low Threshold Voltage
- Low On-state Resistance
애플리케이션
Audio, Power Management, Signal Processing
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.3A
Transistor Case Style
TO-236AB
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
833mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.058ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
750mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
PMV65XP,215의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000127