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PSMN028-100HSX
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 29 A, 29 A, 0.0275 ohm
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PSMN028-100HSX
주문 코드4078666RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id29A
On Resistance Rds(on)0.0215ohm
Continuous Drain Current Id N Channel29A
Continuous Drain Current Id P Channel29A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0275ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel-
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleLFPAK56D
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd64W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel64W
Power Dissipation P Channel64W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
On Resistance Rds(on)
0.0215ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
29A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
64W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Continuous Drain Current Id
29A
Continuous Drain Current Id N Channel
29A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0275ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Transistor Case Style
LFPAK56D
Power Dissipation Pd
64W
Power Dissipation N Channel
64W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000272