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PSMN102-200Y,115
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Surface Mount
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PSMN102-200Y,115
주문 코드3440100
Product RangeTrenchMOS
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id21.5A
Drain Source On State Resistance0.086ohm
Transistor Case StyleLFPAK56
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation113W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchMOS
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21.5A
Transistor Case Style
LFPAK56
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
113W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.086ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchMOS
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00001