페이지 인쇄
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
8,537 재고
더 필요하세요?
8537 3-4 영업일 이내 배송(영국 재고)
수량 | 가격 |
---|---|
1+ | ₩1,022 |
10+ | ₩882 |
100+ | ₩610 |
500+ | ₩512 |
1000+ | ₩480 |
5000+ | ₩448 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩1,022
부품 번호 /라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PSMN6R0-30YLB,115
주문 코드2067550
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id71A
Drain Source On State Resistance0.0055ohm
Transistor Case StyleSC-100
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.48V
Power Dissipation58W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The PSMN6R0-30YLB is a N-channel enhancement-mode logic level MOSFET optimised for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC converters, Load switching, synchronous buck regulator and domestic equipment applications.
- Low parasitic inductance and resistance
- Ultra-low QG, QGD and QOSS for high system efficiencies at low and high loads
- -55 to 175°C Junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
71A
Transistor Case Style
SC-100
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
58W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.48V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
관련 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000071