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PSMN6R8-40HSX
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 5800 µohm
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PSMN6R8-40HSX
주문 코드4078678RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id40A
On Resistance Rds(on)0.0058ohm
Continuous Drain Current Id N Channel40A
Continuous Drain Current Id P Channel40A
Drain Source On State Resistance N Channel5800µohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel5800µohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleLFPAK56D
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd64W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel64W
Power Dissipation P Channel64W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (25-Jun-2025)
기술 사양
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
On Resistance Rds(on)
0.0058ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
40A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
64W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id
40A
Continuous Drain Current Id N Channel
40A
Drain Source On State Resistance N Channel
5800µohm
Drain Source On State Resistance P Channel
5800µohm
Transistor Case Style
LFPAK56D
Power Dissipation Pd
64W
Power Dissipation N Channel
64W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000272