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AFT05MS006NT1
RF FET Transistor, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
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제품 정보
제조업체NXP
제조업체 부품 번호AFT05MS006NT1
주문 코드2776258
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds30VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation128W
Operating Frequency Min136MHz
Operating Frequency Max941MHz
Transistor Case StylePLD-1.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
- RF power LDMOS transistor
- Characterized for operation from 136 to 941MHz
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Integrated ESD protection
- Integrated stability enhancements
- Exceptional thermal performance
- High ruggedness N-channel enhancement mode lateral MOSFET
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
30VDC
Power Dissipation
128W
Operating Frequency Max
941MHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
136MHz
Transistor Case Style
PLD-1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0003