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BLT81,115
Bipolar - RF Transistor, NPN, 9.5 V, 900 MHz, 2 W, 500 mA, SOT-223
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제품 정보
제조업체NXP
제조업체 부품 번호BLT81,115
주문 코드1212471
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max9.5V
Power Dissipation2W
Continuous Collector Current500mA
Transistor Case StyleSOT-223
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min25hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
BLT81,115의 대체 제품
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제품 개요
The BLT81,115 is a 9.5V NPN Silicon Planar Epitaxial UHF Power Transistor in SMD encapsulation. Suitable for use in hand held radio equipment in 900MHz communication band.
- Gold metallization ensures excellent reliability
- 175°C Junction temperature
애플리케이션
RF Communications, Portable Devices
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation
2W
Transistor Case Style
SOT-223
DC Current Gain hFE Min
25hFE
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage Max
9.5V
Continuous Collector Current
500mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00012