페이지 인쇄
MRFE6VP5600HR5
RF FET Transistor, 130 VDC, 1.667 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
더 이상 재고 없음
제품 정보
제조업체NXP
제조업체 부품 번호MRFE6VP5600HR5
주문 코드2776265
기술 데이터 시트
Drain Source Voltage Vds130VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation1.667kW
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max600MHz
Transistor Case StyleNI-1230
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max225°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
제품 개요
The MRFE6VP5600HR5 is a 130V N-channel Enhancement Mode Lateral MOSFET designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace and radio/land mobile applications.
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 50VDD operation
- Characterized from 30V to 50V for extended power range
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection with greater negative gate source voltage
애플리케이션
Industrial, Aerospace, Defence, Military, Communications & Networking
기술 사양
Drain Source Voltage Vds
130VDC
Power Dissipation
1.667kW
Operating Frequency Max
600MHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
NI-1230
Operating Temperature Max
225°C
Transistor Mounting
Flange
MSL
-
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.018615