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PHT6NQ10T,135
MOSFET, N CH, 100V, 6.5A, SOT223, REEL
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제품 정보
제조업체NEXPERIA
제조업체 부품 번호PHT6NQ10T,135
주문 코드2439621
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.057ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation8.3W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
제품 개요
The PHT6NQ10T is a 100V standard level N-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor uses TrenchMOS technology. Low conduction losses due to low on-state resistance and higher operating power due to low thermal resistance. Suitable for use in DC to DC converters, motor and relay drivers applications.
- 150°C Junction temperature
- Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics
애플리케이션
Power Management, Industrial, Motor Drive & Control
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
8.3W
Operating Temperature Max
150°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.057ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
PHT6NQ10T,135의 대체 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001