페이지 인쇄
G3VM-66M
MOSFET Relay, SPDT (1 Form C), AC / DC, 60 V, 400 mA, Module, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
주문 가능
제조업체 표준 리드 타임: 36주
입고 시 알림 요청
| 수량 | 가격 |
|---|---|
| 1+ | ₩78,849 |
| 5+ | ₩78,473 |
| 10+ | ₩78,229 |
가격기준Each
주문 최소수량: 1
주문 배수수량: 1
₩78,849
부품 번호 /라인 메모 추가
이 주문에 한해 주문 확인서, 청구서, 발송장에 추가됨,
이 번호는 주문 확인서, 청구서, 발송장, 웹 확인 이메일, 제품 라벨에 추가됩니다.
제품 정보
제조업체 부품 번호G3VM-66M
주문 코드2910450
Product RangeG3VM Series
기술 데이터 시트
Contact FormSPDT (1 Form C)
Load TypeAC / DC
Load Voltage Max60V
Load Current400mA
MOSFET Relay Package StyleModule
Relay MountingSurface Mount
Relay TerminalsSolder
On State Resistance Max1.5ohm
Isolation Voltage300V
I/O Capacitance Typ3.5pF
Off State Leakage Current Max2nA
Product RangeG3VM Series
제품 개요
The SPDT (1 form C) MOSFET relay module ideal for replacing reed relays in semiconductor testing equipment (ATE) applications. Long operating life, high speed switching and allows for high density SMD mounting in its small package: 10x5x11mm
- 1 Form C (SPDT)
- Compact size
- Solid state technology
- High-speed switching
- SMD
- Fully customizable with standard footprint
기술 사양
Contact Form
SPDT (1 Form C)
Load Voltage Max
60V
MOSFET Relay Package Style
Module
Relay Terminals
Solder
Isolation Voltage
300V
Off State Leakage Current Max
2nA
Load Type
AC / DC
Load Current
400mA
Relay Mounting
Surface Mount
On State Resistance Max
1.5ohm
I/O Capacitance Typ
3.5pF
Product Range
G3VM Series
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Japan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85364900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00391