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2N7002KT1G
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 380 mA, 1.19 ohm, SOT-23, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호2N7002KT1G
주문 코드2317619RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id380mA
Drain Source On State Resistance1.19ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation420mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The 2N7002KT1G is a N-channel Small Signal MOSFET offers 60V drain source voltage and 320mA steady state drain current. It is suitable for low side load switch, level shift circuits, DC-to-DC converter, portable DSC and PDA applications.
- Low RDS (ON)
- Surface-mount package
- Halogen-free
- ESD Protected
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Portable Devices, Consumer Electronics, Power Management, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
380mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
420mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1.19ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
2N7002KT1G의 대체 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000033