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AFGB40T65SQDN
IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호AFGB40T65SQDN
주문 코드2981065
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage1.6V
Power Dissipation238W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
제품 개요
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Continuous Collector Current
80A
Power Dissipation
238W
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.15