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BCV26
Darlington Transistor, PNP, 30 V, 350 mW, 1.2 A, SOT-23, 3 Pins
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BCV26
주문 코드9846816
기술 데이터 시트
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Power Dissipation Pd350mW
DC Collector Current1.2A
RF Transistor CaseSOT-23
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE10000hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The BCV26 is a PNP Darlington Transistor designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 800mA.
- Sourced from Process 61
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
PNP
Power Dissipation Pd
350mW
RF Transistor Case
SOT-23
DC Current Gain hFE
10000hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
DC Collector Current
1.2A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000121