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BS170-D75Z
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 500 mA, 1.2 ohm, TO-226AA, Through Hole
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| 500+ | ₩227 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BS170-D75Z
주문 코드2453831
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation830mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The BS170_D75Z is a N-channel enhancement-mode FET produced using high cell density DMOS technology. It is designed to minimize ON-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to 500mA DC. It is particularly suited for low voltage, low current applications such as power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- High density cell design for low RDS (ON)
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
- High saturation current capability
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
Transistor Case Style
TO-226AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
BS170-D75Z의 대체 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000713