페이지 인쇄
BSS123L
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Surface Mount
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BSS123L
주문 코드2575356
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id170mA
Drain Source On State Resistance6ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.405V
Power Dissipation360mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The BSS123L is produced using high cell density trench MOSFET technology. This minimizes on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. The BSS123L is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor controller, power MOSFET gate drivers, logic level transistorss, high speed line drivers, power management/power supply and switching applications.
- High density cell design for low on-resistance
- Rugged and reliable
- Very low capacitance
- Fast switching speed
애플리케이션
Power Supplies, Power Management, Motor Drive & Control
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
170mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
360mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
6ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.405V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
BSS123L의 대체 제품
8개 제품을 찾았습니다.
관련 제품
3개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000002