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BSS138LT1G
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BSS138LT1G
주문 코드1431319
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance3.5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation225mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
BSS138LT1G from On Semiconductor is surface mount, 50V N channel power MOSFET in SOT-23 package. Features low threshold voltage, ideal for low voltage applications. Typical applications include DC-DC converters, power management in portable and battery powered products such as computers, printers, PCMCIA cards, cellular and cordless telephones.
- Drain to source voltage (Vds) of 50V
- Gate to source voltage of ± 20V
- Continuous drain current (Id) of 200mA
- Power dissipation (pd) of 225mW
- Operating temperature range -55°C to 150°C
- Low on state resistance of 3.5ohm at Vgs of 5V
애플리케이션
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, Automotive
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
225mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
3.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000008