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BUZ11-NR4941
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| 1+ | ₩2,045 |
| 10+ | ₩1,196 |
| 100+ | ₩1,078 |
| 500+ | ₩860 |
| 1000+ | ₩728 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호BUZ11-NR4941
주문 코드2453387
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The BUZ11_NR4941 is a 50V N-channel Power MOSFET designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. This type can be operated directly from integrated circuits. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Nanosecond switching speed
- Linear transfer characteristics
- High input impedance
- 170ns Fall time
애플리케이션
Signal Processing, Industrial, Motor Drive & Control
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
75W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.003629