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FDC3535
Power MOSFET, P Channel, 80 V, 2.1 A, 0.147 ohm, SuperSOT, Surface Mount
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더 이상 제조되지 않음
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDC3535
주문 코드2322579
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id2.1A
Drain Source On State Resistance0.147ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2022)
제품 개요
The FDC3535 is a P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- Fast switching speed
- 100% UIL tested
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.1A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2022)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.147ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:United States
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2022)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00005