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FDC637BNZ
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 6.2 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Surface Mount
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| 10+ | ₩559 |
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| 500+ | ₩300 |
| 1000+ | ₩246 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDC637BNZ
주문 코드2322581
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6.2A
Drain Source On State Resistance0.021ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The FDC637BNZ is a 2.5V specified N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint compared with bigger SO-8 and TSSOP-8 packages. It is suitable for use in DC-to-DC converter, load switching and battery protection applications.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Manufactured using green packaging material
- Halide-free
- 2kV typical HBM ESD protection level
- 8nC typical low gate charge
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.2A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.021ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Malaysia
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.01