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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDD8451
주문 코드2322587
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation30W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (14-Jun-2023)
제품 개요
The FDD8451 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, fast switching speed and extremely low RDS (ON).
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Fast switching
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
30W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (14-Jun-2023)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (14-Jun-2023)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.000479