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FDG6317NZ
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.3 ohm
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDG6317NZ
주문 코드2985475
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel700mA
Continuous Drain Current Id P Channel700mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.3ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.3ohm
Transistor Case StyleSC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel300mW
Power Dissipation P Channel300mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
제품 개요
The FDG6317NZ is a PowerTrench® dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized use in small switching regulators, providing an extremely low RDS (ON) and gate charge (QG) in a small package.
- Low gate charge
- Gate-source Zener for ESD ruggedness (1.6kV human body model)
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Compact industry standard surface-mount package
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
700mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.3ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
300mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
700mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.3ohm
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation N Channel
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000028