페이지 인쇄
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDMC8622
주문 코드2083268
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.0437ohm
Transistor Case StyleMLP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation31W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
제품 개요
The FDMC8622 is a N-channel MOSFET produced using advanced Power Trench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for RDS (ON), switching performance and ruggedness.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- 100% UIL tested
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Transistor Case Style
MLP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
31W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0437ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
FDMC8622의 대체 제품
1개 제품을 찾았습니다.
관련 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Philippines
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.0005