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FDMS5672
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 10.6 A, 9400 µohm, Power 56, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDMS5672
주문 코드1495182RL
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id10.6A
Drain Source On State Resistance9400µohm
Transistor Case StylePower 56
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The FDMS5672 is an UItraFET Trench® N-channel MOSFET combines characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. Optimized for RDS (ON), low ESR, low total and Miller gate charge. It is ideal for high frequency DC to DC converters.
- Low Miller charge
- Optimized efficiency at high frequencies
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10.6A
Transistor Case Style
Power 56
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
9400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Thailand
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000272