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FDP5800
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 80 A, 0.006 ohm, TO-220, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩3,868 |
| 10+ | ₩1,983 |
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| 500+ | ₩1,716 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDP5800
주문 코드1495237
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.006ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation242mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
제품 개요
The FDP5800 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been tailored to minimize the ON-state resistance while maintaining superior switching performance. It is suitable for use in synchronous rectification, battery protection circuit and uninterruptible power supplies applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Low gate charge
- High power and current handing capability
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
242mW
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00186