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FDS6576.
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDS6576.
주문 코드1471055RL
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.014ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max830mV
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
제품 개요
The FDS6576 is a 2.5V specified P-channel MOSFET in a rugged gate version of advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5 to 12V). It can be used in load switch and battery protection.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handing capability
- 43nC typical low gate charge
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
830mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
기술 문서 (1)
FDS6576.의 대체 제품
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관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Taiwan
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000226