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FDS8884
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FDS8884
주문 코드2575360
Product RangePowerTrench
기술 데이터 시트
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id8.5A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.5A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
8Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
MSL 1 - Unlimited
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.00025