페이지 인쇄
FGD5T120SH
IGBT, FS Trench, 10 A, 2.9 V, 69 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pins
이미지는 참고용으로만 제공됩니다. 자세한 내용은 제품 설명을 참조하세요.
제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FGD5T120SH
주문 코드2565212
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current10A
Collector Emitter Saturation Voltage2.9V
Power Dissipation69W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
- 1200V, 5A FS trench technology IGBT
- Positive temperature coefficient
- High speed switching
- Low saturation voltage: VCE(sat) = 2.9V at Ic=5A
- High input impedance
- Suitable for inrush current limitation, lighting and home appliances
기술 사양
Continuous Collector Current
10A
Power Dissipation
69W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.9V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
관련 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85334010
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000907