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FQB12P20TM
Power MOSFET, P Channel, 200 V, 11.5 A, 0.47 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호FQB12P20TM
주문 코드2575361
Product RangeFQB
기술 데이터 시트
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id11.5A
Drain Source On State Resistance0.47ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation120W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeFQB
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
11.5A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
120W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.47ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
FQB
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.007811