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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호HGT1S10N120BNST
주문 코드2454176
기술 데이터 시트
Continuous Collector Current35A
Collector Emitter Saturation Voltage2.45V
Power Dissipation298W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-263AB
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The HGT1S10N120BNST is a N-channel Non-punch Through (NPT) IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS and solar inverter. It is new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. It combines the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor.
- Short-circuit rating
- Avalanche rated
- 2.45V @ IC = 10A Low saturation voltage
- 140ns Fall time @ TJ = 150°C
- 298W Total power dissipation @ TC = 25°C
애플리케이션
Power Management, Motor Drive & Control
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Continuous Collector Current
35A
Power Dissipation
298W
Transistor Case Style
TO-263AB
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.45V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
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2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.001312