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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MBRB2515LT4G
주문 코드1651125
Product RangeMBRB2
기술 데이터 시트
Repetitive Peak Reverse Voltage15V
Average Forward Current25A
Diode ConfigurationSingle
Diode Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins2Pins
Forward Voltage Max450mV
Forward Surge Current150A
Operating Temperature Max150°C
Diode MountingSurface Mount
Product RangeMBRB2
Qualification-
MBRB2515LT4G의 대체 제품
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제품 개요
The MBRB2515LT4G is a SWITCHMODE™ Power Rectifier O-ring Function Diode with epoxy moulded case. It employs the Schottky barrier principle in a large metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. It is ideally suited for use in low voltage, high frequency switching power supplies, free-wheeling diodes and polarity protection diodes.
- Guard-ring for stress protection
- Low forward voltage
- All external surfaces corrosion-resistant
- UL94V-0 Flammability rating
애플리케이션
Power Management, Industrial
기술 사양
Repetitive Peak Reverse Voltage
15V
Diode Configuration
Single
No. of Pins
2Pins
Forward Surge Current
150A
Diode Mounting
Surface Mount
Qualification
-
Average Forward Current
25A
Diode Case Style
TO-263 (D2PAK)
Forward Voltage Max
450mV
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
MBRB2
관련 제품
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85366910
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:예
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:추후 공고함
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.001954