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MJ11028G
Darlington Transistor, NPN, 60 V, 300 W, 50 A, TO-204, 2 Pins
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| 50+ | ₩18,882 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJ11028G
주문 코드2845302
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo60V
Power Dissipation Pd300W
DC Collector Current50A
RF Transistor CaseTO-204
No. of Pins2Pins
DC Current Gain hFE18hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The MJ11028G is an NPN Complementary Silicon Darlington Power Transistor for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. This transistor features monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor.
- High DC current gain
- Diode protection to rated IC
애플리케이션
Industrial, Power Management
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
300W
RF Transistor Case
TO-204
DC Current Gain hFE
18hFE
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
60V
DC Collector Current
50A
No. of Pins
2Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
기술 문서 (1)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:Mexico
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.014991