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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJD112T4G
주문 코드2441270
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
No. of Pins3Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The MJD112T4G is a 2A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
- Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- Complementary pairs simplifies designs
- Surface-mount replacements for TIP110 to TIP117 series
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
애플리케이션
Industrial, Power Management, Automotive, Signal Processing
경고
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
No. of Pins
3Pins
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MJD112T4G의 대체 제품
2개 제품을 찾았습니다.
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000562