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MJD44E3T4G
Darlington Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pins
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJD44E3T4G
주문 코드2727980
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Power Dissipation Pd1.75W
DC Collector Current10A
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
1.75W
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
1000hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
DC Collector Current
10A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000457