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MJD44E3T4G
Darlington Transistor, NPN, 80 V, 1.75 W, 10 A, TO-252 (DPAK), 3 Pins
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJD44E3T4G
주문 코드2727980RL
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Collector Emitter Voltage Max80V
Power Dissipation Pd1.75W
Continuous Collector Current10A
DC Collector Current10A
Power Dissipation20W
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transition Frequency-
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min1000hFE
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
80V
Continuous Collector Current
10A
Power Dissipation
20W
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
1000hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
1000hFE
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
Power Dissipation Pd
1.75W
DC Collector Current
10A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
제품 준수 증명서 다운로드
제품 준수 증명서
무게(kg):.000457