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MJE3055TG
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | ₩1,052 |
| 10+ | ₩822 |
| 100+ | ₩743 |
| 500+ | ₩639 |
| 1000+ | ₩635 |
| 5000+ | ₩630 |
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제품 정보
제조업체ONSEMI
제조업체 부품 번호MJE3055TG
주문 코드2535636
기술 데이터 시트
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max60V
Continuous Collector Current10A
Power Dissipation75W
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency2MHz
DC Current Gain hFE Min5hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
제품 개요
The MJE3055TG is a 60V NPN complementary plastic silicon Bipolar Transistor designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. The MJE2955T (PNP) and MJE3055T (NPN) are complementary devices.
- DC current gain specified to 10A
- High current gain - bandwidth
- 70VDC Collector to base voltage (VCBO)
- 5V Emitter to base voltage (VEBO)
- 6ADC Base current (IB)
- 1.67°C/W Thermal resistance, junction to case
애플리케이션
Industrial
기술 사양
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
10A
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
5hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
60V
Power Dissipation
75W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
2MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
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법률 및 환경
원산지:
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가원산지:China
최종후의 중요 제조 공정이 이루어진 국가
관세 번호:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 준수:Y-Ex
RoHS
RoHS 프탈레이트 준수:예
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
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제품 준수 증명서
무게(kg):.002808